Menu
KiswahiliKiswahili
RFQS / Order.
0RFQS / Order.

Transistors - Bipolar (BJT) - Safu, Kabla ya Upend

ADC124EUQ-7
Diodes Incorporated

ADC124EUQ-7

Sehemu ya hisa.: 102169

Aina ya Transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 22 kOhms, 22 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 22 kOhms, 22 kOhms,

Kwa wishlist.
ACX114YUQ-13R
Diodes Incorporated

ACX114YUQ-13R

Sehemu ya hisa.: 122236

Aina ya Transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 10 kOhms, 10 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 47 kOhms, 47 kOhms,

Kwa wishlist.
ADC124EUQ-13
Diodes Incorporated

ADC124EUQ-13

Sehemu ya hisa.: 174294

Aina ya Transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 22 kOhms, 22 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 22 kOhms, 22 kOhms,

Kwa wishlist.
ADA114EUQ-7
Diodes Incorporated

ADA114EUQ-7

Sehemu ya hisa.: 198421

Aina ya Transistor: 2 PNP Pre-Biased (Dual), Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 10 kOhms, 10 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 10 kOhms, 10 kOhms,

Kwa wishlist.
ACX124EUQ-7R
Diodes Incorporated

ACX124EUQ-7R

Sehemu ya hisa.: 171910

Aina ya Transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 22 kOhms, 22 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 22 kOhms, 22 kOhms,

Kwa wishlist.
ADA114YUQ-7
Diodes Incorporated

ADA114YUQ-7

Sehemu ya hisa.: 112948

Aina ya Transistor: 2 PNP Pre-Biased (Dual), Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 10 kOhms, 47 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 10 kOhms, 47 kOhms,

Kwa wishlist.
ADC114YUQ-7
Diodes Incorporated

ADC114YUQ-7

Sehemu ya hisa.: 176159

Aina ya Transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 10 kOhms, 47 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 10 kOhms, 47 kOhms,

Kwa wishlist.
ACX114YUQ-7R
Diodes Incorporated

ACX114YUQ-7R

Sehemu ya hisa.: 162673

Aina ya Transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 10 kOhms, 10 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 47 kOhms, 47 kOhms,

Kwa wishlist.
ADA114EUQ-13
Diodes Incorporated

ADA114EUQ-13

Sehemu ya hisa.: 149878

Aina ya Transistor: 2 PNP Pre-Biased (Dual), Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 10 kOhms, 10 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 10 kOhms, 10 kOhms,

Kwa wishlist.
ADA114YUQ-13
Diodes Incorporated

ADA114YUQ-13

Sehemu ya hisa.: 147362

Aina ya Transistor: 2 PNP Pre-Biased (Dual), Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 10 kOhms, 47 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 10 kOhms, 47 kOhms,

Kwa wishlist.
ADC144EUQ-13
Diodes Incorporated

ADC144EUQ-13

Sehemu ya hisa.: 21546

Aina ya Transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Kizuizi - Msingi (R1): 47 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 47 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Kwa wishlist.
ACX124EUQ-13R
Diodes Incorporated

ACX124EUQ-13R

Sehemu ya hisa.: 121902

Aina ya Transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 22 kOhms, 22 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 22 kOhms, 22 kOhms,

Kwa wishlist.
ADC114YUQ-13
Diodes Incorporated

ADC114YUQ-13

Sehemu ya hisa.: 121085

Aina ya Transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 10 kOhms, 47 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 10 kOhms, 47 kOhms,

Kwa wishlist.
BCR35PNH6327XTSA1
Infineon Technologies

BCR35PNH6327XTSA1

Sehemu ya hisa.: 152076

Aina ya Transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 10 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 47 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Kwa wishlist.
BCR 48PN H6727
Infineon Technologies

BCR 48PN H6727

Sehemu ya hisa.: 1466

Aina ya Transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 70mA, 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 47 kOhms, 2.2 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 47 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Kwa wishlist.
BCR 141S H6727
Infineon Technologies

BCR 141S H6727

Sehemu ya hisa.: 1531

Aina ya Transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 22 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 22 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

Kwa wishlist.
BCR35PNE6327BTSA1
Infineon Technologies

BCR35PNE6327BTSA1

Sehemu ya hisa.: 1529

Aina ya Transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 10 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 47 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Kwa wishlist.
BCR 22PN H6727
Infineon Technologies

BCR 22PN H6727

Sehemu ya hisa.: 1468

Aina ya Transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 22 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 22 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

Kwa wishlist.
BCR 148S H6827
Infineon Technologies

BCR 148S H6827

Sehemu ya hisa.: 1537

Aina ya Transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 47 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 47 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Kwa wishlist.
BCR 133S H6444
Infineon Technologies

BCR 133S H6444

Sehemu ya hisa.: 1441

Aina ya Transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 10 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 10 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Kwa wishlist.
BCR 141S E6727
Infineon Technologies

BCR 141S E6727

Sehemu ya hisa.: 1506

Aina ya Transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 22 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 22 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

Kwa wishlist.
BCR 116S H6727
Infineon Technologies

BCR 116S H6727

Sehemu ya hisa.: 3210

Aina ya Transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 4.7 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 47 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Kwa wishlist.
BCR 116S E6727
Infineon Technologies

BCR 116S E6727

Sehemu ya hisa.: 1473

Aina ya Transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 4.7 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 47 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Kwa wishlist.
BCR108SH6433XTMA1
Infineon Technologies

BCR108SH6433XTMA1

Sehemu ya hisa.: 1470

Aina ya Transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 47 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Kwa wishlist.
BCR08PNE6327BTSA1
Infineon Technologies

BCR08PNE6327BTSA1

Sehemu ya hisa.: 1495

Aina ya Transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 47 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Kwa wishlist.
BCR48PNE6433BTMA1
Infineon Technologies

BCR48PNE6433BTMA1

Sehemu ya hisa.: 1457

Aina ya Transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 70mA, 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 47 kOhms, 2.2 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 47 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Kwa wishlist.
BCR48PNE6327BTSA1
Infineon Technologies

BCR48PNE6327BTSA1

Sehemu ya hisa.: 3149

Aina ya Transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 70mA, 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 47 kOhms, 2.2 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 47 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Kwa wishlist.
BCR35PNE6433HTMA1
Infineon Technologies

BCR35PNE6433HTMA1

Sehemu ya hisa.: 1427

Aina ya Transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 10 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 47 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Kwa wishlist.
BCR22PNE6433HTMA1
Infineon Technologies

BCR22PNE6433HTMA1

Sehemu ya hisa.: 1454

Aina ya Transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 22 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 22 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

Kwa wishlist.
BCR198SE6327BTSA1
Infineon Technologies

BCR198SE6327BTSA1

Sehemu ya hisa.: 1473

Aina ya Transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 47 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 47 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Kwa wishlist.
BCR22PNE6327BTSA1
Infineon Technologies

BCR22PNE6327BTSA1

Sehemu ya hisa.: 1505

Aina ya Transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 22 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 22 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

Kwa wishlist.
BCR185SE6327BTSA1
Infineon Technologies

BCR185SE6327BTSA1

Sehemu ya hisa.: 1465

Aina ya Transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 10 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 47 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Kwa wishlist.
BCR183SE6433BTMA1
Infineon Technologies

BCR183SE6433BTMA1

Sehemu ya hisa.: 1484

Aina ya Transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 10 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 10 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Kwa wishlist.
BCR185SB6327XT
Infineon Technologies

BCR185SB6327XT

Sehemu ya hisa.: 1459

Aina ya Transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 10 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 47 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Kwa wishlist.
BCR183SE6327BTSA1
Infineon Technologies

BCR183SE6327BTSA1

Sehemu ya hisa.: 1440

Aina ya Transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 10 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 10 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Kwa wishlist.
BCR169SE6327BTSA1
Infineon Technologies

BCR169SE6327BTSA1

Sehemu ya hisa.: 1509

Aina ya Transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 4.7 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

Kwa wishlist.