Transistors - FETs, MOSFETs - Moja

AOT1N60

Sehemu ya hisa.: 107755

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 600V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 1.3A (Tc), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 Ohm @ 650mA, 10V,

AOT20S60L

Sehemu ya hisa.: 22197

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 600V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199 mOhm @ 10A, 10V,

AOT2500L

Sehemu ya hisa.: 19106

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 150V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 11.5A (Ta), 152A (Tc), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 20A, 10V,

AOT460_002

Sehemu ya hisa.: 2383

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 60V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 85A (Tc), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 30A, 10V,

AON7426_101

Sehemu ya hisa.: 2447

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 30V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 18A (Ta), 40A (Tc), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 18A, 10V,

AOTF8N65_002

Sehemu ya hisa.: 2416

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide),

AOTF8N50_003

Sehemu ya hisa.: 6308

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide),

AOTF8N50_002

Sehemu ya hisa.: 2379

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide),

AOTF7N60_002

Sehemu ya hisa.: 2412

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide),

AOTF4N60_002

Sehemu ya hisa.: 2413

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide),

AOTF4N90_002

Sehemu ya hisa.: 2360

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide),

AOTF22N50_001

Sehemu ya hisa.: 2377

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide),

AOTF20S60_900

Sehemu ya hisa.: 2422

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide),

AOTF20S60_001

Sehemu ya hisa.: 6258

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide),

AOTF18N65_001

Sehemu ya hisa.: 2409

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide),

AOTF16N50_001

Sehemu ya hisa.: 2425

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide),

AOTF14N50_002

Sehemu ya hisa.: 2433

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide),

AOTF12N50_007

Sehemu ya hisa.: 2390

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide),

AOTF12N50_001

Sehemu ya hisa.: 2400

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide),

AOTF11S60_900

Sehemu ya hisa.: 2420

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide),

AOD3N50_003

Sehemu ya hisa.: 2362

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 500V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 2.8A (Tc), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1.5A, 10V,

AOD2N100M

Sehemu ya hisa.: 2357

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide),

AOD3N50_002

Sehemu ya hisa.: 2379

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 500V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 2.8A (Tc), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1.5A, 10V,

AO6405_102

Sehemu ya hisa.: 6321

Aina ya FET: P-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 30V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 5A (Ta), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52 mOhm @ 5A, 10V,

AO6405_101

Sehemu ya hisa.: 2389

Aina ya FET: P-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 30V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 5A (Ta), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52 mOhm @ 5A, 10V,

AO6402A_201

Sehemu ya hisa.: 2354

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 30V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 7.5A (Ta), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7.5A, 10V,

AO3416L

Sehemu ya hisa.: 2332

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 20V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 6.5A (Ta), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 6.5A, 4.5V,

AON7410L_105

Sehemu ya hisa.: 2334

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 30V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 8A (Ta), 20A (Tc), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 8A, 10V,

AON7430L

Sehemu ya hisa.: 2351

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 30V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 9A (Ta), 20A (Tc), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 20A, 10V,

AON7410L

Sehemu ya hisa.: 2369

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 30V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 8A (Ta), 20A (Tc), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 8A, 10V,

AON7408L

Sehemu ya hisa.: 2366

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 30V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 7.5A (Ta), 20A (Ta), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 9A, 10V,

AON7406L

Sehemu ya hisa.: 2402

AON7403L

Sehemu ya hisa.: 2348

Aina ya FET: P-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 30V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 8A (Ta), 20A (Tc), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 8A, 10V,

AON6452L

Sehemu ya hisa.: 5641

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 100V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 6.5A (Ta), 26A (Tc), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 20A, 10V,

AON7401L

Sehemu ya hisa.: 5685

Aina ya FET: P-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 30V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 9A (Ta), 20A (Tc), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 9A, 20V,

AON6448L_001

Sehemu ya hisa.: 2394

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 80V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 11A (Ta), 65A (Tc), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6 mOhm @ 10A, 10V,