Transistors - FETs, MOSFETs - Moja

IXFT30N60Q

Sehemu ya hisa.: 5448

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 600V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230 mOhm @ 500mA, 10V,

IXFH10N100Q

Sehemu ya hisa.: 5464

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 1000V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 10A (Tc), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 5A, 10V,

IXUV170N075

Sehemu ya hisa.: 5560

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 75V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 175A (Tc),

IXTH2N170D2

Sehemu ya hisa.: 5785

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 1700V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 2A (Tj), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 Ohm @ 1A, 0V,

IXFT9N80Q

Sehemu ya hisa.: 6000

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 800V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 9A (Tc), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1 Ohm @ 500mA, 10V,

IXFQ23N60Q

Sehemu ya hisa.: 6212

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 600V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 23A (Tc),

IXFH35N30Q

Sehemu ya hisa.: 5985

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 300V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 35A (Tc), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 17.5A, 10V,

IXFT30N50

Sehemu ya hisa.: 6027

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 500V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 15A, 10V,

IXTP28N15P

Sehemu ya hisa.: 9556

IXFK14N100Q

Sehemu ya hisa.: 9597

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 1000V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 14A (Tc), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 7A, 10V,

IXTT60N10

Sehemu ya hisa.: 6114

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 100V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 30A, 10V,

IXFR180N15P

Sehemu ya hisa.: 6233

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 150V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 90A, 10V,

IXT-1-1N100S1

Sehemu ya hisa.: 5802

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 1000V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 1.5A (Tc),

IXFH13N90

Sehemu ya hisa.: 6008

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 900V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 13A (Tc), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 500mA, 10V,

IXTR30N25

Sehemu ya hisa.: 6002

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 250V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 25A (Tc), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 15A, 10V,

IXFH88N20Q

Sehemu ya hisa.: 6169

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 200V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 88A (Tc), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 44A, 10V,

IXFH14N80

Sehemu ya hisa.: 5833

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 800V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 14A (Tc), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 500mA, 10V,

IXFD14N100-8X

Sehemu ya hisa.: 9569

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 1000V,

IXFK80N15Q

Sehemu ya hisa.: 6017

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 150V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.5 mOhm @ 40A, 10V,

IXFT13N100

Sehemu ya hisa.: 9501

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 1000V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 12.5A (Tc), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 500mA, 10V,

IXFT20N60Q

Sehemu ya hisa.: 6584

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 600V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 10A, 10V,

IXTQ180N055T

Sehemu ya hisa.: 9356

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 55V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 180A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 50A, 10V,

IXFH30N60Q

Sehemu ya hisa.: 6280

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 600V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230 mOhm @ 500mA, 10V,

IXFN52N90P

Sehemu ya hisa.: 5965

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 900V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 43A (Tc), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 26A, 10V,

VMO40-05P1

Sehemu ya hisa.: 9270

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide),

IXTT75N20L2

Sehemu ya hisa.: 6552

IXFN66N50Q2

Sehemu ya hisa.: 9298

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 500V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 66A (Tc), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 500mA, 10V,

IXTV03N400S

Sehemu ya hisa.: 9402

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 4000V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 300mA (Tc), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290 Ohm @ 500mA, 10V,

IXFJ32N50Q

Sehemu ya hisa.: 9418

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 500V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 32A (Tc), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 16A, 10V,

IXFX64N50P

Sehemu ya hisa.: 5178

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 500V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 64A (Tc), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 32A, 10V,

IXTH220N055T

Sehemu ya hisa.: 9296

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 55V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 220A (Tc), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 25A, 10V,

IXFK60N25Q

Sehemu ya hisa.: 5331

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 250V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47 mOhm @ 500mA, 10V,

IXFN44N80

Sehemu ya hisa.: 9313

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 800V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 44A (Tc), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165 mOhm @ 500mA, 10V,

IXFV22N60P

Sehemu ya hisa.: 9246

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 600V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 22A (Tc), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 11A, 10V,

IXTP76N075T

Sehemu ya hisa.: 9349

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 75V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 76A (Tc), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 25A, 10V,

IXFR75N10Q

Sehemu ya hisa.: 3553

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 100V,