Menu
KiswahiliKiswahili
RFQS / Order.
0RFQS / Order.

Transistors - FETs, MOSFETs - Moja

BUK7C1R8-60EJ
NXP USA Inc.

BUK7C1R8-60EJ

Sehemu ya hisa.: 6258

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 60V,

Kwa wishlist.
BUK7C1R4-40EJ
NXP USA Inc.

BUK7C1R4-40EJ

Sehemu ya hisa.: 2529

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 40V,

Kwa wishlist.
BUK7C1R2-40EJ
NXP USA Inc.

BUK7C1R2-40EJ

Sehemu ya hisa.: 2518

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 40V,

Kwa wishlist.
BUK9Y9R9-80E,115
NXP USA Inc.

BUK9Y9R9-80E,115

Sehemu ya hisa.: 2547

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 80V,

Kwa wishlist.
BUK9Y98-80E,115
NXP USA Inc.

BUK9Y98-80E,115

Sehemu ya hisa.: 2588

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 80V,

Kwa wishlist.
BUK9Y7R8-80E,115
NXP USA Inc.

BUK9Y7R8-80E,115

Sehemu ya hisa.: 2582

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 80V,

Kwa wishlist.
BUK9E1R8-40E,127
NXP USA Inc.

BUK9E1R8-40E,127

Sehemu ya hisa.: 2573

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 40V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7 mOhm @ 25A, 10V,

Kwa wishlist.
BUK9E8R5-40E,127
NXP USA Inc.

BUK9E8R5-40E,127

Sehemu ya hisa.: 6339

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 40V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6 mOhm @ 20A, 10V,

Kwa wishlist.
BUK9E6R1-100E,127
NXP USA Inc.

BUK9E6R1-100E,127

Sehemu ya hisa.: 2510

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 100V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9 mOhm @ 25A, 10V,

Kwa wishlist.
BUK9E4R9-60E,127
NXP USA Inc.

BUK9E4R9-60E,127

Sehemu ya hisa.: 2556

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 60V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 25A, 10V,

Kwa wishlist.
BUK9E4R4-80E,127
NXP USA Inc.

BUK9E4R4-80E,127

Sehemu ya hisa.: 2545

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 80V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 25A, 10V,

Kwa wishlist.
BUK9E3R7-60E,127
NXP USA Inc.

BUK9E3R7-60E,127

Sehemu ya hisa.: 2588

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 60V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4 mOhm @ 25A, 10V,

Kwa wishlist.
BUK9E2R8-60E,127
NXP USA Inc.

BUK9E2R8-60E,127

Sehemu ya hisa.: 2547

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 60V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6 mOhm @ 25A, 10V,

Kwa wishlist.
BUK9E3R2-40E,127
NXP USA Inc.

BUK9E3R2-40E,127

Sehemu ya hisa.: 2570

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 40V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 25A, 10V,

Kwa wishlist.
BUK9E1R9-40E,127
NXP USA Inc.

BUK9E1R9-40E,127

Sehemu ya hisa.: 2502

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 40V,

Kwa wishlist.
BUK9E2R3-40E,127
NXP USA Inc.

BUK9E2R3-40E,127

Sehemu ya hisa.: 2570

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 40V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2 mOhm @ 25A, 10V,

Kwa wishlist.
BUK9E1R6-30E,127
NXP USA Inc.

BUK9E1R6-30E,127

Sehemu ya hisa.: 2576

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 30V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 mOhm @ 25A, 10V,

Kwa wishlist.
BUK9E15-60E,127
NXP USA Inc.

BUK9E15-60E,127

Sehemu ya hisa.: 2588

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 60V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 54A (Tc), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 15A, 10V,

Kwa wishlist.
BUK956R1-100E,127
NXP USA Inc.

BUK956R1-100E,127

Sehemu ya hisa.: 6333

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 100V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9 mOhm @ 25A, 10V,

Kwa wishlist.
BUK958R5-40E,127
NXP USA Inc.

BUK958R5-40E,127

Sehemu ya hisa.: 2510

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 40V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6 mOhm @ 20A, 10V,

Kwa wishlist.
BUK954R4-80E,127
NXP USA Inc.

BUK954R4-80E,127

Sehemu ya hisa.: 2512

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 80V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 25A, 10V,

Kwa wishlist.
BUK952R8-60E,127
NXP USA Inc.

BUK952R8-60E,127

Sehemu ya hisa.: 2572

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 60V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6 mOhm @ 25A, 10V,

Kwa wishlist.
BUK952R3-40E,127
NXP USA Inc.

BUK952R3-40E,127

Sehemu ya hisa.: 6262

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 40V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2 mOhm @ 25A, 10V,

Kwa wishlist.
BUK951R9-40E,127
NXP USA Inc.

BUK951R9-40E,127

Sehemu ya hisa.: 2587

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 40V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7 mOhm @ 25A, 10V,

Kwa wishlist.
BUK951R6-30E,127
NXP USA Inc.

BUK951R6-30E,127

Sehemu ya hisa.: 6281

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 30V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 mOhm @ 25A, 10V,

Kwa wishlist.
BUK7E4R0-80E,127
NXP USA Inc.

BUK7E4R0-80E,127

Sehemu ya hisa.: 2546

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 80V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 25A, 10V,

Kwa wishlist.
BUK9515-60E,127
NXP USA Inc.

BUK9515-60E,127

Sehemu ya hisa.: 2529

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 60V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 54A (Tc), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 15A, 10V,

Kwa wishlist.
BUK7E1R6-30E,127
NXP USA Inc.

BUK7E1R6-30E,127

Sehemu ya hisa.: 6300

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 30V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 mOhm @ 25A, 10V,

Kwa wishlist.
BUK753R5-60E,127
NXP USA Inc.

BUK753R5-60E,127

Sehemu ya hisa.: 2561

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 60V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 25A, 10V,

Kwa wishlist.
BUK751R6-30E,127
NXP USA Inc.

BUK751R6-30E,127

Sehemu ya hisa.: 6316

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 30V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 mOhm @ 25A, 10V,

Kwa wishlist.
BUK7Y08-40B/C,115
NXP USA Inc.

BUK7Y08-40B/C,115

Sehemu ya hisa.: 2544

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 40V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 25A, 10V,

Kwa wishlist.
BUK7Y25-40B/C,115
NXP USA Inc.

BUK7Y25-40B/C,115

Sehemu ya hisa.: 2544

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 40V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 35.3A (Tc), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 20A, 10V,

Kwa wishlist.
BUK655R0-75C,127
NXP USA Inc.

BUK655R0-75C,127

Sehemu ya hisa.: 2509

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 75V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3 mOhm @ 25A, 10V,

Kwa wishlist.
BUK654R6-55C,127
NXP USA Inc.

BUK654R6-55C,127

Sehemu ya hisa.: 2550

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 55V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4 mOhm @ 25A, 10V,

Kwa wishlist.
BUK653R7-30C,127
NXP USA Inc.

BUK653R7-30C,127

Sehemu ya hisa.: 2483

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 30V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9 mOhm @ 25A, 10V,

Kwa wishlist.
BUK654R0-75C,127
NXP USA Inc.

BUK654R0-75C,127

Sehemu ya hisa.: 2520

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 75V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 25A, 10V,

Kwa wishlist.