Transistors - Bipolar (BJT) - Moja, Kabla ya Upend | Bidhaa tofauti za semiconductor | 88

PDTC124TT,215

Sehemu ya hisa.: 166184

Aina ya Transistor: NPN - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 22 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Kwa wishlist.

Rohm Semiconductor

DTA124XCAHZGT116

Sehemu ya hisa.: 9950

Aina ya Transistor: PNP - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Kizuizi - Msingi (R1): 22 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 47 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Kwa wishlist.

Rohm Semiconductor

DTC114WUAT106

Sehemu ya hisa.: 194265

Aina ya Transistor: NPN - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 10 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 4.7 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 24 @ 10mA, 5V,

Kwa wishlist.

Rohm Semiconductor

DTC114WKAT146

Sehemu ya hisa.: 173647

Aina ya Transistor: NPN - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 10 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 4.7 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 24 @ 10mA, 5V,

Kwa wishlist.

Rohm Semiconductor

DTC143TCAT116

Sehemu ya hisa.: 103110

Aina ya Transistor: NPN - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 4.7 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Kwa wishlist.

Rohm Semiconductor

DTC144TKAT146

Sehemu ya hisa.: 106643

Aina ya Transistor: NPN - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 47 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Kwa wishlist.

Rohm Semiconductor

DTC044TUBTL

Sehemu ya hisa.: 137517

Aina ya Transistor: NPN - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 60mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 47 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 10V,

Kwa wishlist.

Rohm Semiconductor

DTA044TEBTL

Sehemu ya hisa.: 133264

Aina ya Transistor: PNP - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 60mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 47 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 10V,

Kwa wishlist.

Diodes Incorporated

DDTC123TKA-7-F

Sehemu ya hisa.: 1925

Aina ya Transistor: NPN - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 2.2 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Kwa wishlist.

Diodes Incorporated

DDTA114WKA-7-F

Sehemu ya hisa.: 1927

Aina ya Transistor: PNP - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 10 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 4.7 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 24 @ 10mA, 5V,

Kwa wishlist.

Diodes Incorporated

DDTC123YKA-7-F

Sehemu ya hisa.: 1927

Aina ya Transistor: NPN - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 10 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V,

Kwa wishlist.

Diodes Incorporated

DDTC122TE-7-F

Sehemu ya hisa.: 165876

Aina ya Transistor: NPN - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 220 Ohms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Kwa wishlist.

Diodes Incorporated

DDTC124EKA-7-F

Sehemu ya hisa.: 1965

Aina ya Transistor: NPN - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 22 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 22 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

Kwa wishlist.

ON Semiconductor

MMUN2238LT1G

Sehemu ya hisa.: 106308

Aina ya Transistor: NPN - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 2.2 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Kwa wishlist.

ON Semiconductor

NSVMMUN2112LT1G

Sehemu ya hisa.: 163650

Aina ya Transistor: PNP - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 22 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 22 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Kwa wishlist.

ON Semiconductor

MUN2211T3

Sehemu ya hisa.: 1947

Aina ya Transistor: NPN - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 10 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 10 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Kwa wishlist.

ON Semiconductor

FJV4101RMTF

Sehemu ya hisa.: 1954

Aina ya Transistor: PNP - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 4.7 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 4.7 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 5V,

Kwa wishlist.

ON Semiconductor

MUN2211JT1G

Sehemu ya hisa.: 110536

Aina ya Transistor: NPN - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 10 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 10 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Kwa wishlist.

ON Semiconductor

FJV4104RMTF

Sehemu ya hisa.: 107935

Aina ya Transistor: PNP - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 47 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 47 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Kwa wishlist.

Panasonic Electronic Components

UNR9215G0L

Sehemu ya hisa.: 1892

Aina ya Transistor: NPN - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 10 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Kwa wishlist.

Panasonic Electronic Components

UNR511TG0L

Sehemu ya hisa.: 166688

Aina ya Transistor: PNP - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 22 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 47 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Kwa wishlist.

Panasonic Electronic Components

UNR911EG0L

Sehemu ya hisa.: 1910

Aina ya Transistor: PNP - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 47 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 22 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Kwa wishlist.

Panasonic Electronic Components

UNR91AEG0L

Sehemu ya hisa.: 1964

Aina ya Transistor: PNP - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 80mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 47 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 22 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Kwa wishlist.

Panasonic Electronic Components

UNR91ANG0L

Sehemu ya hisa.: 178045

Aina ya Transistor: PNP - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 80mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 4.7 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 47 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Kwa wishlist.

Panasonic Electronic Components

UNR421K00A

Sehemu ya hisa.: 186442

Aina ya Transistor: NPN - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 10 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 4.7 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 10V,

Kwa wishlist.

Panasonic Electronic Components

UNR911FG0L

Sehemu ya hisa.: 2037

Aina ya Transistor: PNP - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 4.7 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 10 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V,

Kwa wishlist.

Panasonic Electronic Components

UNR9113G0L

Sehemu ya hisa.: 155175

Aina ya Transistor: PNP - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 47 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 47 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Kwa wishlist.

Panasonic Electronic Components

DRC5123J0L

Sehemu ya hisa.: 164209

Aina ya Transistor: NPN - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 47 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Kwa wishlist.

Panasonic Electronic Components

DRA2123Y0L

Sehemu ya hisa.: 136190

Aina ya Transistor: PNP - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 10 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V,

Kwa wishlist.

NXP USA Inc.

PDTC143ZK,115

Sehemu ya hisa.: 1950

Aina ya Transistor: NPN - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 4.7 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 47 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V,

Kwa wishlist.

NXP USA Inc.

PBRP113ES,126

Sehemu ya hisa.: 1953

Aina ya Transistor: PNP - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 800mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 1 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 1 kOhms,

Kwa wishlist.

NXP USA Inc.

PDTD123EK,115

Sehemu ya hisa.: 1995

Aina ya Transistor: NPN - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 500mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 2.2 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V,

Kwa wishlist.

NXP USA Inc.

PDTA144TK,115

Sehemu ya hisa.: 1981

Aina ya Transistor: PNP - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 47 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Kwa wishlist.

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1109(T5L,F,T)

Sehemu ya hisa.: 3219

Aina ya Transistor: NPN - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 47 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 22 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Kwa wishlist.

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1303(TE85L,F)

Sehemu ya hisa.: 1973

Aina ya Transistor: NPN - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 22 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 22 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Kwa wishlist.

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1106CT(TPL3)

Sehemu ya hisa.: 1960

Aina ya Transistor: NPN - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 50mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 20V, Kizuizi - Msingi (R1): 4.7 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 47 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V,

Kwa wishlist.