Transistors - Bipolar (BJT) - Moja, Kabla ya Upend | Bidhaa tofauti za semiconductor | 88

DTA143EEBTL

Sehemu ya hisa.: 167279

Aina ya Transistor: PNP - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 4.7 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 4.7 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Kwa wishlist.

Rohm Semiconductor

DTA144WKAT146

Sehemu ya hisa.: 180435

Aina ya Transistor: PNP - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 30mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 47 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 22 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

Kwa wishlist.

Rohm Semiconductor

DTA144TKAT146

Sehemu ya hisa.: 103542

Aina ya Transistor: PNP - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 47 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Kwa wishlist.

Rohm Semiconductor

DTA143TUBTL

Sehemu ya hisa.: 113791

Aina ya Transistor: PNP - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 4.7 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Kwa wishlist.

Nexperia USA Inc.

PDTD123EUF

Sehemu ya hisa.: 161915

Aina ya Transistor: NPN - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 500mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 2.2 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V,

Kwa wishlist.

Nexperia USA Inc.

PDTD113ZUF

Sehemu ya hisa.: 156593

Aina ya Transistor: NPN - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 500mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 1 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 10 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V,

Kwa wishlist.

Nexperia USA Inc.

PBRN113ZT,215

Sehemu ya hisa.: 114333

Aina ya Transistor: NPN - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 600mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 40V, Kizuizi - Msingi (R1): 1 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 10 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 300mA, 5V,

Kwa wishlist.

Nexperia USA Inc.

PDTA144WU,115

Sehemu ya hisa.: 186483

Aina ya Transistor: PNP - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 47 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 22 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V,

Kwa wishlist.

ON Semiconductor

FJY3009R

Sehemu ya hisa.: 3263

Aina ya Transistor: NPN - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 40V, Kizuizi - Msingi (R1): 4.7 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Kwa wishlist.

ON Semiconductor

MUN5136T1G

Sehemu ya hisa.: 181881

Aina ya Transistor: PNP - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 100 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 100 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Kwa wishlist.

ON Semiconductor

NSVMMUN2232LT1G

Sehemu ya hisa.: 176648

Aina ya Transistor: NPN - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 4.7 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 4.7 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V,

Kwa wishlist.

ON Semiconductor

MUN5133T1G

Sehemu ya hisa.: 124717

Aina ya Transistor: PNP - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 4.7 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 47 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Kwa wishlist.

ON Semiconductor

FJY4001R

Sehemu ya hisa.: 1886

Aina ya Transistor: PNP - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 4.7 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 4.7 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 5V,

Kwa wishlist.

ON Semiconductor

MUN5132T1G

Sehemu ya hisa.: 176294

Aina ya Transistor: PNP - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 4.7 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 4.7 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V,

Kwa wishlist.

ON Semiconductor

MUN2235T1G

Sehemu ya hisa.: 135766

Aina ya Transistor: NPN - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 47 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Kwa wishlist.

ON Semiconductor

MUN2113T1G

Sehemu ya hisa.: 193577

Aina ya Transistor: PNP - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 47 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 47 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Kwa wishlist.

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1406,LF

Sehemu ya hisa.: 138320

Aina ya Transistor: NPN - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 4.7 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 47 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Kwa wishlist.

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2109MFV,L3F

Sehemu ya hisa.: 1723

Aina ya Transistor: PNP - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 47 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 22 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Kwa wishlist.

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1402,LF

Sehemu ya hisa.: 154084

Aina ya Transistor: NPN - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 10 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 10 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Kwa wishlist.

Diodes Incorporated

DDTC143ZCA-7-F

Sehemu ya hisa.: 151001

Aina ya Transistor: NPN - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 4.7 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 47 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Kwa wishlist.

Panasonic Electronic Components

UNR321N00L

Sehemu ya hisa.: 146933

Aina ya Transistor: NPN - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 4.7 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 47 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Kwa wishlist.