Transistors - FETs, MOSFETs - Moja

IRF1405ZPBF

Sehemu ya hisa.: 29841

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 55V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9 mOhm @ 75A, 10V,

IPI80P04P4L06AKSA1

Sehemu ya hisa.: 74713

Aina ya FET: P-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 40V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7 mOhm @ 80A, 10V,

IRFP150NPBF

Sehemu ya hisa.: 38420

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 100V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 42A (Tc), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 23A, 10V,

IPS80R2K0P7AKMA1

Sehemu ya hisa.: 71880

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 800V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 3A (Tc), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 940mA, 10V,

IRFC4768ED

Sehemu ya hisa.: 2184

IRFB7537PBF

Sehemu ya hisa.: 36685

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 60V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 173A (Tc), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3 mOhm @ 100A, 10V,

IPC60R160C6UNSAWNX6SA1

Sehemu ya hisa.: 2314

IPF13N03LA G

Sehemu ya hisa.: 2352

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 25V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8 mOhm @ 30A, 10V,

IPS70R2K0CEAKMA1

Sehemu ya hisa.: 103225

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 700V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 4A (Tc), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 1A, 10V,

IPI072N10N3GXK

Sehemu ya hisa.: 2322

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 100V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2 mOhm @ 80A, 10V,

IRLC8259EB

Sehemu ya hisa.: 2167

IPD65R650CEATMA1

Sehemu ya hisa.: 178677

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 650V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 10.1A (Tc), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650 mOhm @ 2.1A, 10V,

ITD50N04S4L04ATMA1

Sehemu ya hisa.: 2321

SIPC10N60CFDX1SA1

Sehemu ya hisa.: 33341

IPC60R070C6UNSAWNX6SA1

Sehemu ya hisa.: 2294

IPP80P03P405AKSA1

Sehemu ya hisa.: 59328

Aina ya FET: P-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 30V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 80A, 10V,

IRF2805PBF

Sehemu ya hisa.: 34592

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 55V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7 mOhm @ 104A, 10V,

IRFB260NPBF

Sehemu ya hisa.: 23288

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 200V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 56A (Tc), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 34A, 10V,

SPD02N50C3BTMA1

Sehemu ya hisa.: 180399

IPS80R1K2P7AKMA1

Sehemu ya hisa.: 53098

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 800V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 4.5A (Tc), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 1.7A, 10V,

IPU80R900P7AKMA1

Sehemu ya hisa.: 46672

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 800V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 6A (Tc), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 2.2A, 10V,

IRF7526D1TRPBF

Sehemu ya hisa.: 6282

Aina ya FET: P-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 30V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 2A (Ta), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 1.2A, 10V,

IRF4104SPBF

Sehemu ya hisa.: 36999

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 40V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 75A, 10V,

IPA90R1K0C3XKSA1

Sehemu ya hisa.: 6462

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 900V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 5.7A (Tc), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 3.3A, 10V,

IRFC4310EF

Sehemu ya hisa.: 2139

IRFP9140NPBF

Sehemu ya hisa.: 34600

Aina ya FET: P-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 100V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 23A (Tc), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117 mOhm @ 13A, 10V,

IPS70R2K0CEE8211

Sehemu ya hisa.: 2263

IPI70P04P409AKSA1

Sehemu ya hisa.: 79281

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 40V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 72A (Tc), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4 mOhm @ 70A, 10V,

IPS70N10S3L-12

Sehemu ya hisa.: 2230

IPB04N03LA

Sehemu ya hisa.: 2361

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 25V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9 mOhm @ 55A, 10V,

SS07N70AKMA1

Sehemu ya hisa.: 2261

SPP03N60S5XKSA1

Sehemu ya hisa.: 82676

IRF2804PBF

Sehemu ya hisa.: 21788

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 40V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3 mOhm @ 75A, 10V,

IPU80R600P7AKMA1

Sehemu ya hisa.: 40056

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 800V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 8A (Tc), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 3.4A, 10V,

IPSA70R900P7SAKMA1

Sehemu ya hisa.: 7550

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 700V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 6A (Tc), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 1.1A, 10V,

IPS80R2K4P7AKMA1

Sehemu ya hisa.: 75504

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 800V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 2.5A (Tc), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 Ohm @ 800mA, 10V,