Transistors - Bipolar (BJT) - Moja, Kabla ya Upend

Nyumbani
Transistors - Bipolar (BJT) - Moja, Kabla ya Upend

Infineon Technologies

BCR 162F E6327

Sehemu ya hisa.: 1848

Aina ya Transistor: PNP - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 4.7 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 4.7 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V,

Wishlist.

BCR158WE6327HTSA1

Infineon Technologies

BCR158WE6327HTSA1

Sehemu ya hisa.: 1840

Aina ya Transistor: PNP - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 47 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Wishlist.

Infineon Technologies

BCR 162 B6327

Sehemu ya hisa.: 1887

Aina ya Transistor: PNP - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 4.7 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 4.7 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V,

Wishlist.

Infineon Technologies

BCR 158T E6327

Sehemu ya hisa.: 1908

Aina ya Transistor: PNP - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 47 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Wishlist.

BCR 158L3 E6327

Infineon Technologies

BCR 158L3 E6327

Sehemu ya hisa.: 1838

Aina ya Transistor: PNP - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 47 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Wishlist.

Infineon Technologies

BCR 158 B6327

Sehemu ya hisa.: 1880

Aina ya Transistor: PNP - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 47 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Wishlist.

Infineon Technologies

BCR 158F E6327

Sehemu ya hisa.: 1870

Aina ya Transistor: PNP - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 47 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Wishlist.

Infineon Technologies

BCR 153T E6327

Sehemu ya hisa.: 1846

Aina ya Transistor: PNP - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 2.2 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V,

Wishlist.

BCR 153L3 E6327

Infineon Technologies

BCR 153L3 E6327

Sehemu ya hisa.: 1899

Aina ya Transistor: PNP - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 2.2 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V,

Wishlist.

Infineon Technologies

BCR 153F E6327

Sehemu ya hisa.: 1847

Aina ya Transistor: PNP - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 2.2 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V,

Wishlist.

BCR 151L3 E6327

Infineon Technologies

BCR 151L3 E6327

Sehemu ya hisa.: 1890

Aina ya Transistor: PNP - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 50mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 100 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 100 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Wishlist.

Infineon Technologies

BCR 151T E6327

Sehemu ya hisa.: 1855

Aina ya Transistor: PNP - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 50mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 100 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 100 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Wishlist.

Infineon Technologies

BCR 151F E6327

Sehemu ya hisa.: 1827

Aina ya Transistor: PNP - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 50mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 100 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 100 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Wishlist.

Infineon Technologies

BCR 149T E6327

Sehemu ya hisa.: 1902

Aina ya Transistor: NPN - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 70mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 47 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

Wishlist.

BCR 149L3 E6327

Infineon Technologies

BCR 149L3 E6327

Sehemu ya hisa.: 1877

Aina ya Transistor: NPN - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 70mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 47 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

Wishlist.

Infineon Technologies

BCR 149F E6327

Sehemu ya hisa.: 3262

Aina ya Transistor: NPN - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 70mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 47 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

Wishlist.

Infineon Technologies

BCR 148T E6327

Sehemu ya hisa.: 1882

Aina ya Transistor: NPN - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 70mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 47 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 47 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Wishlist.

BCR148WE6327BTSA1

Infineon Technologies

BCR148WE6327BTSA1

Sehemu ya hisa.: 1902

Aina ya Transistor: NPN - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 47 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 47 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Wishlist.

Infineon Technologies

BCR 148F E6327

Sehemu ya hisa.: 3260

Aina ya Transistor: NPN - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 47 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 47 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Wishlist.

BCR 148L3 E6327

Infineon Technologies

BCR 148L3 E6327

Sehemu ya hisa.: 1913

Aina ya Transistor: NPN - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 70mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 47 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 47 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Wishlist.

Infineon Technologies

BCR 148F B6327

Sehemu ya hisa.: 1865

Aina ya Transistor: NPN - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 47 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 47 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Wishlist.

Infineon Technologies

BCR 148 B6327

Sehemu ya hisa.: 1911

Aina ya Transistor: NPN - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 47 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 47 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Wishlist.

Infineon Technologies

BCR 146T E6327

Sehemu ya hisa.: 1826

Aina ya Transistor: NPN - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 70mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 47 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 22 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

Wishlist.

BCR 146L3 E6327

Infineon Technologies

BCR 146L3 E6327

Sehemu ya hisa.: 3245

Aina ya Transistor: NPN - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 70mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 47 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 22 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

Wishlist.

Infineon Technologies

BCR 146F E6327

Sehemu ya hisa.: 1912

Aina ya Transistor: NPN - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 70mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 47 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 22 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

Wishlist.

BCR142WE6327HTSA1

Infineon Technologies

BCR142WE6327HTSA1

Sehemu ya hisa.: 1824

Aina ya Transistor: NPN - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 22 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 47 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Wishlist.

BCR 142L3 E6327

Infineon Technologies

BCR 142L3 E6327

Sehemu ya hisa.: 1858

Aina ya Transistor: NPN - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 22 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 47 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Wishlist.

Infineon Technologies

BCR 142T E6327

Sehemu ya hisa.: 1827

Aina ya Transistor: NPN - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 22 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 47 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Wishlist.

BCR142B6327HTLA1

Infineon Technologies

BCR142B6327HTLA1

Sehemu ya hisa.: 1896

Aina ya Transistor: NPN - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 22 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 47 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Wishlist.

Infineon Technologies

BCR 142F E6327

Sehemu ya hisa.: 1836

Aina ya Transistor: NPN - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 22 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 47 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Wishlist.

Infineon Technologies

BCR 141T E6327

Sehemu ya hisa.: 1866

Aina ya Transistor: NPN - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 22 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 22 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

Wishlist.

Infineon Technologies

BCR 141F E6327

Sehemu ya hisa.: 1842

Aina ya Transistor: NPN - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 22 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 22 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

Wishlist.

BCR 141L3 E6327

Infineon Technologies

BCR 141L3 E6327

Sehemu ya hisa.: 1865

Aina ya Transistor: NPN - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 22 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 22 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

Wishlist.

Infineon Technologies

BCR 139T E6327

Sehemu ya hisa.: 1828

Aina ya Transistor: NPN - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 22 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

Wishlist.

BCR 139L3 E6327

Infineon Technologies

BCR 139L3 E6327

Sehemu ya hisa.: 1852

Aina ya Transistor: NPN - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 22 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

Wishlist.

Infineon Technologies

BCR 139F E6327

Sehemu ya hisa.: 1851

Aina ya Transistor: NPN - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 22 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

Wishlist.

206

«
1
2
3
4
5
6
»