Menu
KiswahiliKiswahili
RFQS / Order.
0RFQS / Order.

Transistors - Bipolar (BJT) - Moja, Kabla ya Upend

  • Nyumbani
  •  
  • Transistors - Bipolar (BJT) - Moja, Kabla ya Upend
BCR555E6327HTSA1
Infineon Technologies

BCR555E6327HTSA1

Sehemu ya hisa.: 169612

Aina ya Transistor: PNP - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 500mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 10 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V,

Wishlist.
BCR142E6327HTSA1
Infineon Technologies

BCR142E6327HTSA1

Sehemu ya hisa.: 111124

Aina ya Transistor: NPN - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 22 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 47 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Wishlist.
BCR198E6327HTSA1
Infineon Technologies

BCR198E6327HTSA1

Sehemu ya hisa.: 196205

Aina ya Transistor: PNP - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 47 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 47 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Wishlist.
BCR183E6327HTSA1
Infineon Technologies

BCR183E6327HTSA1

Sehemu ya hisa.: 112554

Aina ya Transistor: PNP - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 10 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 10 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Wishlist.
BCR533E6327HTSA1
Infineon Technologies

BCR533E6327HTSA1

Sehemu ya hisa.: 148436

Aina ya Transistor: NPN - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 500mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 10 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 10 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V,

Wishlist.
BCR148E6327HTSA1
Infineon Technologies

BCR148E6327HTSA1

Sehemu ya hisa.: 179063

Aina ya Transistor: NPN - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 47 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 47 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Wishlist.
BCR133E6327HTSA1
Infineon Technologies

BCR133E6327HTSA1

Sehemu ya hisa.: 117390

Aina ya Transistor: NPN - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 10 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 10 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Wishlist.
BCR505E6327HTSA1
Infineon Technologies

BCR505E6327HTSA1

Sehemu ya hisa.: 155798

Aina ya Transistor: NPN - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 500mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 10 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V,

Wishlist.
BCR108E6327HTSA1
Infineon Technologies

BCR108E6327HTSA1

Sehemu ya hisa.: 107313

Aina ya Transistor: NPN - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 47 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Wishlist.
BCR503E6327HTSA1
Infineon Technologies

BCR503E6327HTSA1

Sehemu ya hisa.: 187004

Aina ya Transistor: NPN - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 500mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 2.2 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V,

Wishlist.
BCR135E6327HTSA1
Infineon Technologies

BCR135E6327HTSA1

Sehemu ya hisa.: 185332

Aina ya Transistor: NPN - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 10 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 47 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Wishlist.
BCR523E6327HTSA1
Infineon Technologies

BCR523E6327HTSA1

Sehemu ya hisa.: 192928

Aina ya Transistor: NPN - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 500mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 1 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 10 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V,

Wishlist.
BCR116E6327HTSA1
Infineon Technologies

BCR116E6327HTSA1

Sehemu ya hisa.: 185599

Aina ya Transistor: NPN - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 4.7 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 47 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Wishlist.
BCR553E6327HTSA1
Infineon Technologies

BCR553E6327HTSA1

Sehemu ya hisa.: 184944

Aina ya Transistor: PNP - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 500mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 2.2 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V,

Wishlist.
BCR555E6433HTMA1
Infineon Technologies

BCR555E6433HTMA1

Sehemu ya hisa.: 167043

Aina ya Transistor: PNP - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 500mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 10 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V,

Wishlist.
BCR573E6433HTMA1
Infineon Technologies

BCR573E6433HTMA1

Sehemu ya hisa.: 194775

Aina ya Transistor: PNP - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 500mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 1 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 10 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V,

Wishlist.
BCR573E6327HTSA1
Infineon Technologies

BCR573E6327HTSA1

Sehemu ya hisa.: 169525

Aina ya Transistor: PNP - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 500mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 1 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 10 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V,

Wishlist.
BCR523E6433HTMA1
Infineon Technologies

BCR523E6433HTMA1

Sehemu ya hisa.: 168743

Aina ya Transistor: NPN - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 500mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 1 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 10 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V,

Wishlist.
BCR583E6327HTSA1
Infineon Technologies

BCR583E6327HTSA1

Sehemu ya hisa.: 160056

Aina ya Transistor: PNP - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 500mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 10 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 10 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V,

Wishlist.
BCR521E6327HTSA1
Infineon Technologies

BCR521E6327HTSA1

Sehemu ya hisa.: 128154

Aina ya Transistor: NPN - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 500mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 1 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 1 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 5V,

Wishlist.
BCR112E6327HTSA1
Infineon Technologies

BCR112E6327HTSA1

Sehemu ya hisa.: 162905

Aina ya Transistor: NPN - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 4.7 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 4.7 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V,

Wishlist.
BCR142WH6327XTSA1
Infineon Technologies

BCR142WH6327XTSA1

Sehemu ya hisa.: 167474

Aina ya Transistor: NPN - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 22 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 47 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Wishlist.
BCR185WH6327XTSA1
Infineon Technologies

BCR185WH6327XTSA1

Sehemu ya hisa.: 127612

Aina ya Transistor: PNP - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 10 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 47 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Wishlist.
BCR148E6433HTMA1
Infineon Technologies

BCR148E6433HTMA1

Sehemu ya hisa.: 122157

Aina ya Transistor: NPN - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 47 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 47 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Wishlist.
BCR166E6327HTSA1
Infineon Technologies

BCR166E6327HTSA1

Sehemu ya hisa.: 175753

Aina ya Transistor: PNP - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 4.7 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 47 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Wishlist.
BCR185E6327HTSA1
Infineon Technologies

BCR185E6327HTSA1

Sehemu ya hisa.: 117094

Aina ya Transistor: PNP - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 10 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 47 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Wishlist.
BCR133E6433HTMA1
Infineon Technologies

BCR133E6433HTMA1

Sehemu ya hisa.: 166891

Aina ya Transistor: NPN - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 10 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 10 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Wishlist.
BCR108WH6433XTMA1
Infineon Technologies

BCR108WH6433XTMA1

Sehemu ya hisa.: 152662

Aina ya Transistor: NPN - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 47 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Wishlist.
BCR196WH6327XTSA1
Infineon Technologies

BCR196WH6327XTSA1

Sehemu ya hisa.: 168903

Aina ya Transistor: PNP - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 70mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 47 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 22 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

Wishlist.
BCR198WH6327XTSA1
Infineon Technologies

BCR198WH6327XTSA1

Sehemu ya hisa.: 142688

Aina ya Transistor: PNP - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 47 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 47 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Wishlist.
BCR191WH6327XTSA1
Infineon Technologies

BCR191WH6327XTSA1

Sehemu ya hisa.: 172560

Aina ya Transistor: PNP - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 22 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 22 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

Wishlist.
BCR112WH6327XTSA1
Infineon Technologies

BCR112WH6327XTSA1

Sehemu ya hisa.: 124099

Aina ya Transistor: NPN - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 4.7 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 4.7 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V,

Wishlist.
BCR148WH6327XTSA1
Infineon Technologies

BCR148WH6327XTSA1

Sehemu ya hisa.: 121396

Aina ya Transistor: NPN - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 47 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 47 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Wishlist.
BCR183WH6327XTSA1
Infineon Technologies

BCR183WH6327XTSA1

Sehemu ya hisa.: 182729

Aina ya Transistor: PNP - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 10 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 10 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Wishlist.
BCR108WH6327XTSA1
Infineon Technologies

BCR108WH6327XTSA1

Sehemu ya hisa.: 111326

Aina ya Transistor: NPN - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 47 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Wishlist.
BCR158WH6327XTSA1
Infineon Technologies

BCR158WH6327XTSA1

Sehemu ya hisa.: 106810

Aina ya Transistor: PNP - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 47 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Wishlist.