Transistors - FETs, MOSFETs - Moja

2N7002PM,315

Sehemu ya hisa.: 2530

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 60V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 300mA (Ta), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V,

2N7002T,215

Sehemu ya hisa.: 2571

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 60V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 300mA (Ta), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

2N7002K,215

Sehemu ya hisa.: 892

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 60V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 340mA (Ta), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9 Ohm @ 500mA, 10V,

2N7000,126

Sehemu ya hisa.: 9622

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 60V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 300mA (Tc), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

2N7002PT,115

Sehemu ya hisa.: 8856

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 60V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 310mA (Ta), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V,

2N7002BKT,115

Sehemu ya hisa.: 8863

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 60V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 290mA (Ta), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V,

BUK7Y25-80E/GFX

Sehemu ya hisa.: 2567

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 80V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 39A (Tc), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 10A, 10V,

BUK7Y25-80E/CX

Sehemu ya hisa.: 2511

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 80V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 39A (Tc), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 10A, 10V,

BUK7Y25-60E/GFX

Sehemu ya hisa.: 2552

BUK761R7-40E/GFJ

Sehemu ya hisa.: 2563

Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 10V,

BUK761R5-40EJ

Sehemu ya hisa.: 2572

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 40V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.51 mOhm @ 25A, 10V,

BUK9C1R3-40EJ

Sehemu ya hisa.: 57

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 40V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 190A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3 mOhm @ 90A, 5V,

BUK951R8-40EQ

Sehemu ya hisa.: 2593

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 40V,

BUK9C5R3-100EJ

Sehemu ya hisa.: 2508

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 100V,

BUK9C3R8-80EJ

Sehemu ya hisa.: 2594

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 80V,

BUK9C2R2-60EJ

Sehemu ya hisa.: 2531

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 60V,

BUK7C4R5-100EJ

Sehemu ya hisa.: 2529

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 100V,

BUK7C5R4-100EJ

Sehemu ya hisa.: 2551

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 100V,

BUK7C3R1-80EJ

Sehemu ya hisa.: 2547

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 80V,

BUK7C3R8-80EJ

Sehemu ya hisa.: 2556

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 80V,

BUK7C1R8-60EJ

Sehemu ya hisa.: 6258

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 60V,

BUK7C1R4-40EJ

Sehemu ya hisa.: 2529

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 40V,

BUK7C1R2-40EJ

Sehemu ya hisa.: 2518

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 40V,

BUK9Y9R9-80E,115

Sehemu ya hisa.: 2547

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 80V,

BUK9Y98-80E,115

Sehemu ya hisa.: 2588

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 80V,

BUK9Y7R8-80E,115

Sehemu ya hisa.: 2582

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 80V,

BUK9E1R8-40E,127

Sehemu ya hisa.: 2573

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 40V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7 mOhm @ 25A, 10V,

BUK9E8R5-40E,127

Sehemu ya hisa.: 6339

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 40V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6 mOhm @ 20A, 10V,

BUK9E6R1-100E,127

Sehemu ya hisa.: 2510

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 100V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9 mOhm @ 25A, 10V,

BUK9E4R9-60E,127

Sehemu ya hisa.: 2556

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 60V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 25A, 10V,

BUK9E4R4-80E,127

Sehemu ya hisa.: 2545

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 80V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 25A, 10V,

BUK9E3R7-60E,127

Sehemu ya hisa.: 2588

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 60V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4 mOhm @ 25A, 10V,

BUK9E2R8-60E,127

Sehemu ya hisa.: 2547

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 60V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6 mOhm @ 25A, 10V,

BUK9E3R2-40E,127

Sehemu ya hisa.: 2570

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 40V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 25A, 10V,

BUK9E1R9-40E,127

Sehemu ya hisa.: 2502

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 40V,

BUK9E2R3-40E,127

Sehemu ya hisa.: 2570

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 40V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2 mOhm @ 25A, 10V,