Transistors - FETs, MOSFETs - Moja

AOTF4N90_002

Sehemu ya hisa.: 2360

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide),

AOTF22N50_001

Sehemu ya hisa.: 2377

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide),

AOTF20S60_900

Sehemu ya hisa.: 2422

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide),

AOTF20S60_001

Sehemu ya hisa.: 6258

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide),

AOTF18N65_001

Sehemu ya hisa.: 2409

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide),

AOTF16N50_001

Sehemu ya hisa.: 2425

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide),

AOTF14N50_002

Sehemu ya hisa.: 2433

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide),

AOTF12N50_007

Sehemu ya hisa.: 2390

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide),

AOTF12N50_001

Sehemu ya hisa.: 2400

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide),

AOTF11S60_900

Sehemu ya hisa.: 2420

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide),

AOD3N50_003

Sehemu ya hisa.: 2362

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 500V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 2.8A (Tc), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1.5A, 10V,

AOD2N100M

Sehemu ya hisa.: 2357

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide),

AOD3N50_002

Sehemu ya hisa.: 2379

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 500V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 2.8A (Tc), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1.5A, 10V,

AO6405_102

Sehemu ya hisa.: 6321

Aina ya FET: P-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 30V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 5A (Ta), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52 mOhm @ 5A, 10V,

AO6405_101

Sehemu ya hisa.: 2389

Aina ya FET: P-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 30V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 5A (Ta), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52 mOhm @ 5A, 10V,

AO6402A_201

Sehemu ya hisa.: 2354

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 30V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 7.5A (Ta), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7.5A, 10V,

AO3416L

Sehemu ya hisa.: 2332

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 20V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 6.5A (Ta), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 6.5A, 4.5V,

AON7410L_105

Sehemu ya hisa.: 2334

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 30V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 8A (Ta), 20A (Tc), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 8A, 10V,

AON7430L

Sehemu ya hisa.: 2351

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 30V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 9A (Ta), 20A (Tc), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 20A, 10V,

AON7410L

Sehemu ya hisa.: 2369

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 30V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 8A (Ta), 20A (Tc), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 8A, 10V,

AON7408L

Sehemu ya hisa.: 2366

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 30V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 7.5A (Ta), 20A (Ta), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 9A, 10V,

AON7406L

Sehemu ya hisa.: 2402

AON7403L

Sehemu ya hisa.: 2348

Aina ya FET: P-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 30V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 8A (Ta), 20A (Tc), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 8A, 10V,

AON6452L

Sehemu ya hisa.: 5641

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 100V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 6.5A (Ta), 26A (Tc), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 20A, 10V,

AON7401L

Sehemu ya hisa.: 5685

Aina ya FET: P-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 30V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 9A (Ta), 20A (Tc), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 9A, 20V,

AON6448L_001

Sehemu ya hisa.: 2394

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 80V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 11A (Ta), 65A (Tc), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6 mOhm @ 10A, 10V,

AON6448L

Sehemu ya hisa.: 2372

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 80V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 11A (Ta), 65A (Tc), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6 mOhm @ 10A, 10V,

AON6405L_102

Sehemu ya hisa.: 6245

Aina ya FET: P-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 30V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 15A (Ta), 30A (Tc), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 20A, 10V,

AON6413_101

Sehemu ya hisa.: 2376

Aina ya FET: P-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 30V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 22A (Ta), 32A (Tc), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 16A, 10V,

AON6403L_APP

Sehemu ya hisa.: 2344

Aina ya FET: P-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 30V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 21A (Ta), 85A (Tc), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1 mOhm @ 20A, 10V,

AON6362P

Sehemu ya hisa.: 2377

AOD454AL

Sehemu ya hisa.: 2329

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 40V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 12A (Tc), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 12A, 10V,

AOD409_002

Sehemu ya hisa.: 2374

Aina ya FET: P-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 60V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 26A (Tc), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 20A, 10V,

AO7401L

Sehemu ya hisa.: 2397

Aina ya FET: P-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 30V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 1.2A (Ta), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 1.2A, 10V,

AOD409_001

Sehemu ya hisa.: 2374

Aina ya FET: P-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 60V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 26A (Tc), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 20A, 10V,

AO6415L

Sehemu ya hisa.: 2373

Aina ya FET: P-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 20V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 3.3A (Ta), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 3.3A, 10V,