Transistors - FETs, MOSFETs - Moja

AO3415AL_103

Sehemu ya hisa.: 2264

AO3420L_103

Sehemu ya hisa.: 2239

AO3414L_105

Sehemu ya hisa.: 6247

AO3406L_104

Sehemu ya hisa.: 2223

AO3401AL_DELTA

Sehemu ya hisa.: 2232

AOD4185L

Sehemu ya hisa.: 2242

Aina ya FET: P-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 40V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 40A (Tc), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 20A, 10V,

AO3420L

Sehemu ya hisa.: 2303

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 20V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 6A (Ta), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 6A, 10V,

AO3406L

Sehemu ya hisa.: 2242

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 30V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 3.6A (Ta), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 3.6A, 10V,

AO3414L

Sehemu ya hisa.: 2234

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 20V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 3A (Ta), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62 mOhm @ 3A, 4.5V,

AO3400

Sehemu ya hisa.: 2218

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 30V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 5.8A (Ta), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 5.8A, 10V,

AO3401AL

Sehemu ya hisa.: 2254

Aina ya FET: P-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 30V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 4A (Ta), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 4A, 10V,

AON6266_101

Sehemu ya hisa.: 2224

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 60V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 20A, 10V,

AON7246_101

Sehemu ya hisa.: 2184

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 60V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 34.5A (Tc), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 10A, 10V,

AO4442L

Sehemu ya hisa.: 2237

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 75V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 3.1A (Ta), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 3.1A, 10V,

AO3460L

Sehemu ya hisa.: 6288

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 60V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 650mA (Ta), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7 Ohm @ 650mA, 10V,

AO4438_101

Sehemu ya hisa.: 2178

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 60V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 8.2A (Ta), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 8.2A, 10V,

AO4264_DELTA

Sehemu ya hisa.: 2186

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 60V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 12A (Ta), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 12A, 10V,

AO4264_101

Sehemu ya hisa.: 2176

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 60V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 12A (Ta), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 12A, 10V,

AOD4185L_003

Sehemu ya hisa.: 2227

Aina ya FET: P-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 40V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 40A (Tc), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 20A, 10V,

AOWF12T60

Sehemu ya hisa.: 2161

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 600V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 12A (Tc), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520 mOhm @ 6A, 10V,

AOWF10T60

Sehemu ya hisa.: 2209

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 600V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 10A (Tc), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 5A, 10V,

AOTF7T60L

Sehemu ya hisa.: 2226

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 600V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 7A (Tc), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1 Ohm @ 3.5A, 10V,

AOW10T60

Sehemu ya hisa.: 2164

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 600V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 10A (Tc), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 5A, 10V,

AOTF20C60P_001

Sehemu ya hisa.: 6282

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 600V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 10A, 10V,

AOTF7T60

Sehemu ya hisa.: 2206

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 600V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 7A (Tc), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1 Ohm @ 3.5A, 10V,

AOTF12T60L

Sehemu ya hisa.: 2224

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 600V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 12A (Tc), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520 mOhm @ 6A, 10V,

AOTF12T60

Sehemu ya hisa.: 2169

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 600V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 12A (Tc), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520 mOhm @ 6A, 10V,

AOTF11C60_001

Sehemu ya hisa.: 6272

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 600V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 11A (Tc), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440 mOhm @ 5.5A, 10V,

AOTF11C60P_001

Sehemu ya hisa.: 6220

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 600V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 11A (Tc), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 5.5A, 10V,

AOT11C60

Sehemu ya hisa.: 6266

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 600V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 11A (Tc), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440 mOhm @ 5.5A, 10V,

AOTF10T60_001

Sehemu ya hisa.: 2212

AOT10T60P

Sehemu ya hisa.: 2250

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 600V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 10A (Tc), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 5A, 10V,

APT60M75L2FLLG

Sehemu ya hisa.: 1751

Aina ya FET: N-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 600V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 73A (Tc), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 36.5A, 10V,

APT4016BVRG

Sehemu ya hisa.: 6274

APT5014B2VRG

Sehemu ya hisa.: 6218

ATP104-TL-HX

Sehemu ya hisa.: 2171

Aina ya FET: P-Channel, Teknolojia: MOSFET (Metal Oxide), Futa kwa Chanzo cha Voltage (Vdss): 30V, Mtiririko wa Sasa wa Kuendelea (Id) @ 25 ° C: 75A (Ta), Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4 mOhm @ 38A, 10V,