Transistors - Bipolar (BJT) - Moja, Kabla ya Upend | Bidhaa tofauti za semiconductor | 88

ADTA143ZUAQ-7

Sehemu ya hisa.: 152

Aina ya Transistor: PNP - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Kizuizi - Msingi (R1): 4.7 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 47 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Kwa wishlist.

Diodes Incorporated

ADTA144EUAQ-13

Sehemu ya hisa.: 126718

Aina ya Transistor: PNP - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 47 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 47 kOhms,

Kwa wishlist.

Diodes Incorporated

ADTA114EUAQ-7

Sehemu ya hisa.: 131267

Aina ya Transistor: PNP - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 10 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 10 kOhms,

Kwa wishlist.

Diodes Incorporated

ADTC124ECAQ-13

Sehemu ya hisa.: 123811

Aina ya Transistor: NPN - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 22 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 22 kOhms,

Kwa wishlist.

Diodes Incorporated

ADTA114EUAQ-13

Sehemu ya hisa.: 101827

Aina ya Transistor: PNP - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 10 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 10 kOhms,

Kwa wishlist.

Diodes Incorporated

ADTC143ZUAQ-13

Sehemu ya hisa.: 182

Aina ya Transistor: NPN - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Kizuizi - Msingi (R1): 4.7 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 47 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Kwa wishlist.

Diodes Incorporated

ADTC143TUAQ-13

Sehemu ya hisa.: 128

Aina ya Transistor: NPN - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 4.7 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Kwa wishlist.

Diodes Incorporated

ADTC114YUAQ-13

Sehemu ya hisa.: 147

Aina ya Transistor: NPN - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Kizuizi - Msingi (R1): 10 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 47 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Kwa wishlist.

Diodes Incorporated

ADTA143XUAQ-13

Sehemu ya hisa.: 126

Aina ya Transistor: PNP - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Kizuizi - Msingi (R1): 4.7 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 10 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Kwa wishlist.

Diodes Incorporated

ADTA143XUAQ-7

Sehemu ya hisa.: 9928

Aina ya Transistor: PNP - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Kizuizi - Msingi (R1): 4.7 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 10 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Kwa wishlist.

Diodes Incorporated

ADTC114YUAQ-7

Sehemu ya hisa.: 9985

Aina ya Transistor: NPN - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Kizuizi - Msingi (R1): 10 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 47 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Kwa wishlist.

Diodes Incorporated

ADTC124ECAQ-7

Sehemu ya hisa.: 132443

Aina ya Transistor: NPN - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 22 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 22 kOhms,

Kwa wishlist.

Diodes Incorporated

ADTC114EUAQ-7

Sehemu ya hisa.: 149741

Aina ya Transistor: NPN - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 10 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 10 kOhms,

Kwa wishlist.

Diodes Incorporated

ADTC144EUAQ-7

Sehemu ya hisa.: 162255

Aina ya Transistor: NPN - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 47 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 47 kOhms,

Kwa wishlist.

Diodes Incorporated

ADTC143TUAQ-7

Sehemu ya hisa.: 9972

Aina ya Transistor: NPN - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 4.7 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Kwa wishlist.

Diodes Incorporated

ADTA144ECAQ-7

Sehemu ya hisa.: 167067

Aina ya Transistor: PNP - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 47 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 47 kOhms,

Kwa wishlist.

Diodes Incorporated

ADTA144EUAQ-7

Sehemu ya hisa.: 145892

Aina ya Transistor: PNP - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 47 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 47 kOhms,

Kwa wishlist.

Diodes Incorporated

ADTA144ECAQ-13

Sehemu ya hisa.: 103821

Aina ya Transistor: PNP - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 47 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 47 kOhms,

Kwa wishlist.

Diodes Incorporated

ADTC144EUAQ-13

Sehemu ya hisa.: 169878

Aina ya Transistor: NPN - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 47 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 47 kOhms,

Kwa wishlist.

Diodes Incorporated

ADTC114EUAQ-13

Sehemu ya hisa.: 107782

Aina ya Transistor: NPN - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 10 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 10 kOhms,

Kwa wishlist.

Diodes Incorporated

ADTA143ZUAQ-13

Sehemu ya hisa.: 1775

Aina ya Transistor: PNP - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Kizuizi - Msingi (R1): 4.7 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 47 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Kwa wishlist.

Infineon Technologies

BCR 135F E6327

Sehemu ya hisa.: 2128

Aina ya Transistor: NPN - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 10 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 47 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Kwa wishlist.

Infineon Technologies

BCR158E6327HTSA1

Sehemu ya hisa.: 111325

Aina ya Transistor: PNP - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 47 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Kwa wishlist.

Infineon Technologies

BCR562E6327HTSA1

Sehemu ya hisa.: 174692

Aina ya Transistor: PNP - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 500mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 4.7 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 4.7 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V,

Kwa wishlist.

Infineon Technologies

BCR198E6393HTSA1

Sehemu ya hisa.: 2061

Aina ya Transistor: PNP - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 47 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 47 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Kwa wishlist.

Infineon Technologies

BCR 519 E6327

Sehemu ya hisa.: 2048

Aina ya Transistor: NPN - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 500mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 4.7 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 5V,

Kwa wishlist.

Infineon Technologies

BCR 198T E6327

Sehemu ya hisa.: 2013

Aina ya Transistor: PNP - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 70mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 47 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 47 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Kwa wishlist.

Infineon Technologies

BCR166WE6327HTSA1

Sehemu ya hisa.: 2057

Aina ya Transistor: PNP - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 4.7 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 47 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Kwa wishlist.

Infineon Technologies

BCR 162L3 E6327

Sehemu ya hisa.: 2049

Aina ya Transistor: PNP - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 4.7 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 4.7 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V,

Kwa wishlist.

Infineon Technologies

BCR141WE6327HTSA1

Sehemu ya hisa.: 2073

Aina ya Transistor: NPN - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 22 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 22 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

Kwa wishlist.

Infineon Technologies

BCR 119 E6433

Sehemu ya hisa.: 2021

Aina ya Transistor: NPN - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 4.7 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

Kwa wishlist.

Infineon Technologies

BCR 129F E6327

Sehemu ya hisa.: 2023

Aina ya Transistor: NPN - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 10 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

Kwa wishlist.

Infineon Technologies

BCR 133F B6327

Sehemu ya hisa.: 1978

Aina ya Transistor: NPN - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 10 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 10 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Kwa wishlist.

Infineon Technologies

BCR108WE6327BTSA1

Sehemu ya hisa.: 2069

Aina ya Transistor: NPN - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 47 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Kwa wishlist.

Infineon Technologies

BCR 101T E6327

Sehemu ya hisa.: 1992

Aina ya Transistor: NPN - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 50mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 100 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 100 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Kwa wishlist.

Infineon Technologies

BCR505E6778HTSA1

Sehemu ya hisa.: 5409

Aina ya Transistor: NPN - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 500mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 10 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V,

Kwa wishlist.