Menu
KiswahiliKiswahili
RFQS / Order.
0RFQS / Order.

Transistors - Bipolar (BJT) - Moja, Kabla ya Upend

BCR 185L3 E6327
Infineon Technologies

BCR 185L3 E6327

Sehemu ya hisa.: 1871

Aina ya Transistor: PNP - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 10 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 47 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Kwa wishlist.
BCR183WE6327HTSA1
Infineon Technologies

BCR183WE6327HTSA1

Sehemu ya hisa.: 1865

Aina ya Transistor: PNP - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 10 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 10 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Kwa wishlist.
BCR 183T E6327
Infineon Technologies

BCR 183T E6327

Sehemu ya hisa.: 1847

Aina ya Transistor: PNP - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 10 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 10 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Kwa wishlist.
BCR 183L3 E6327
Infineon Technologies

BCR 183L3 E6327

Sehemu ya hisa.: 1907

Aina ya Transistor: PNP - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 10 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 10 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Kwa wishlist.
BCR 183F E6327
Infineon Technologies

BCR 183F E6327

Sehemu ya hisa.: 3202

Aina ya Transistor: PNP - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 10 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 10 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Kwa wishlist.
BCR 183 B6327
Infineon Technologies

BCR 183 B6327

Sehemu ya hisa.: 1927

Aina ya Transistor: PNP - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 10 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 10 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Kwa wishlist.
BCR 179T E6327
Infineon Technologies

BCR 179T E6327

Sehemu ya hisa.: 1862

Aina ya Transistor: PNP - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 10 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

Kwa wishlist.
BCR 179L3 E6327
Infineon Technologies

BCR 179L3 E6327

Sehemu ya hisa.: 1836

Aina ya Transistor: PNP - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 10 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

Kwa wishlist.
BCR 179F E6327
Infineon Technologies

BCR 179F E6327

Sehemu ya hisa.: 1917

Aina ya Transistor: PNP - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 10 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

Kwa wishlist.
BCR169WE6327HTSA1
Infineon Technologies

BCR169WE6327HTSA1

Sehemu ya hisa.: 1909

Aina ya Transistor: PNP - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 4.7 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

Kwa wishlist.
BCR 169T E6327
Infineon Technologies

BCR 169T E6327

Sehemu ya hisa.: 3183

Aina ya Transistor: PNP - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 4.7 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

Kwa wishlist.
BCR 169L3 E6327
Infineon Technologies

BCR 169L3 E6327

Sehemu ya hisa.: 1869

Aina ya Transistor: PNP - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 4.7 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

Kwa wishlist.
BCR 169F E6327
Infineon Technologies

BCR 169F E6327

Sehemu ya hisa.: 1913

Aina ya Transistor: PNP - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 4.7 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

Kwa wishlist.
BCR 166T E6327
Infineon Technologies

BCR 166T E6327

Sehemu ya hisa.: 1873

Aina ya Transistor: PNP - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 4.7 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 47 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Kwa wishlist.
BCR 166L3 E6327
Infineon Technologies

BCR 166L3 E6327

Sehemu ya hisa.: 1856

Aina ya Transistor: PNP - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 4.7 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 47 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Kwa wishlist.
BCR 166F E6327
Infineon Technologies

BCR 166F E6327

Sehemu ya hisa.: 1832

Aina ya Transistor: PNP - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 4.7 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 47 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Kwa wishlist.
BCR166B6327HTLA1
Infineon Technologies

BCR166B6327HTLA1

Sehemu ya hisa.: 1908

Aina ya Transistor: PNP - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 4.7 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 47 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Kwa wishlist.
BCR 164L3 E6327
Infineon Technologies

BCR 164L3 E6327

Sehemu ya hisa.: 1830

Aina ya Transistor: PNP - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 4.7 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 10 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Kwa wishlist.
BCR 164T E6327
Infineon Technologies

BCR 164T E6327

Sehemu ya hisa.: 3231

Aina ya Transistor: PNP - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 4.7 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 10 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Kwa wishlist.
BCR 164F E6327
Infineon Technologies

BCR 164F E6327

Sehemu ya hisa.: 1842

Aina ya Transistor: PNP - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 4.7 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 10 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Kwa wishlist.
BCR 162T E6327
Infineon Technologies

BCR 162T E6327

Sehemu ya hisa.: 1839

Aina ya Transistor: PNP - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 4.7 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 4.7 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V,

Kwa wishlist.
BCR 162F E6327
Infineon Technologies

BCR 162F E6327

Sehemu ya hisa.: 1848

Aina ya Transistor: PNP - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 4.7 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 4.7 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V,

Kwa wishlist.
BCR158WE6327HTSA1
Infineon Technologies

BCR158WE6327HTSA1

Sehemu ya hisa.: 1840

Aina ya Transistor: PNP - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 47 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Kwa wishlist.
BCR 162 B6327
Infineon Technologies

BCR 162 B6327

Sehemu ya hisa.: 1887

Aina ya Transistor: PNP - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 4.7 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 4.7 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V,

Kwa wishlist.
BCR 158T E6327
Infineon Technologies

BCR 158T E6327

Sehemu ya hisa.: 1908

Aina ya Transistor: PNP - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 47 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Kwa wishlist.
BCR 158L3 E6327
Infineon Technologies

BCR 158L3 E6327

Sehemu ya hisa.: 1838

Aina ya Transistor: PNP - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 47 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Kwa wishlist.
BCR 158 B6327
Infineon Technologies

BCR 158 B6327

Sehemu ya hisa.: 1880

Aina ya Transistor: PNP - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 47 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Kwa wishlist.
BCR 158F E6327
Infineon Technologies

BCR 158F E6327

Sehemu ya hisa.: 1870

Aina ya Transistor: PNP - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 47 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Kwa wishlist.
BCR 153T E6327
Infineon Technologies

BCR 153T E6327

Sehemu ya hisa.: 1846

Aina ya Transistor: PNP - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 2.2 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V,

Kwa wishlist.
BCR 153L3 E6327
Infineon Technologies

BCR 153L3 E6327

Sehemu ya hisa.: 1899

Aina ya Transistor: PNP - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 2.2 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V,

Kwa wishlist.
BCR 153F E6327
Infineon Technologies

BCR 153F E6327

Sehemu ya hisa.: 1847

Aina ya Transistor: PNP - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 2.2 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V,

Kwa wishlist.
BCR 151L3 E6327
Infineon Technologies

BCR 151L3 E6327

Sehemu ya hisa.: 1890

Aina ya Transistor: PNP - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 50mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 100 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 100 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Kwa wishlist.
BCR 151T E6327
Infineon Technologies

BCR 151T E6327

Sehemu ya hisa.: 1855

Aina ya Transistor: PNP - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 50mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 100 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 100 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Kwa wishlist.
BCR 151F E6327
Infineon Technologies

BCR 151F E6327

Sehemu ya hisa.: 1827

Aina ya Transistor: PNP - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 50mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 100 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 100 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Kwa wishlist.
BCR 149T E6327
Infineon Technologies

BCR 149T E6327

Sehemu ya hisa.: 1902

Aina ya Transistor: NPN - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 70mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 47 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

Kwa wishlist.
BCR 149L3 E6327
Infineon Technologies

BCR 149L3 E6327

Sehemu ya hisa.: 1877

Aina ya Transistor: NPN - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 70mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 47 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

Kwa wishlist.