Transistors - Bipolar (BJT) - Moja, Kabla ya Upend | Bidhaa tofauti za semiconductor | 5

PDTC124TK,115

Sehemu ya hisa.: 1921

Aina ya Transistor: NPN - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 22 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Wishlist.

NXP USA Inc.

PDTA124EE,115

Sehemu ya hisa.: 1920

Aina ya Transistor: PNP - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 22 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 22 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V,

Wishlist.

NXP USA Inc.

PDTC124EK,115

Sehemu ya hisa.: 2035

Aina ya Transistor: NPN - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 22 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 22 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V,

Wishlist.

NXP USA Inc.

PDTC124TS,126

Sehemu ya hisa.: 1989

Aina ya Transistor: NPN - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 22 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Wishlist.

NXP USA Inc.

PDTA144TE,115

Sehemu ya hisa.: 3251

Aina ya Transistor: PNP - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 47 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Wishlist.

NXP USA Inc.

PDTB123TS,126

Sehemu ya hisa.: 3227

Aina ya Transistor: PNP - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 500mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 2.2 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V,

Wishlist.

NXP USA Inc.

PDTC143EK,115

Sehemu ya hisa.: 1932

Aina ya Transistor: NPN - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 4.7 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 4.7 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Wishlist.

NXP USA Inc.

PDTA143EK,115

Sehemu ya hisa.: 2057

Aina ya Transistor: PNP - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 4.7 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 4.7 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Wishlist.

NXP USA Inc.

PDTA144VK,115

Sehemu ya hisa.: 1942

Aina ya Transistor: PNP - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 47 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 10 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 5mA, 5V,

Wishlist.

NXP USA Inc.

PDTD123TS,126

Sehemu ya hisa.: 1954

Aina ya Transistor: NPN - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 500mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 2.2 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V,

Wishlist.

NXP USA Inc.

PDTA143XK,115

Sehemu ya hisa.: 1913

Aina ya Transistor: PNP - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 4.7 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 10 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Wishlist.

NXP USA Inc.

PDTC143EEF,115

Sehemu ya hisa.: 1982

Aina ya Transistor: NPN - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 4.7 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 4.7 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Wishlist.

NXP USA Inc.

PDTC123ES,126

Sehemu ya hisa.: 1997

Aina ya Transistor: NPN - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 2.2 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V,

Wishlist.

NXP USA Inc.

PDTB113ES,126

Sehemu ya hisa.: 1965

Aina ya Transistor: PNP - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 500mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 1 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 1 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V,

Wishlist.

NXP USA Inc.

PDTC124ES,126

Sehemu ya hisa.: 1970

Aina ya Transistor: NPN - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 22 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 22 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V,

Wishlist.

NXP USA Inc.

PDTA114TE,115

Sehemu ya hisa.: 1980

Aina ya Transistor: PNP - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 10 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V,

Wishlist.

NXP USA Inc.

PDTA143XE,115

Sehemu ya hisa.: 1941

Aina ya Transistor: PNP - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 4.7 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 10 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Wishlist.

NXP USA Inc.

PBRP123ES,126

Sehemu ya hisa.: 1949

Aina ya Transistor: PNP - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 800mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 2.2 kOhms,

Wishlist.

NXP USA Inc.

PDTA123YS,126

Sehemu ya hisa.: 2027

Aina ya Transistor: PNP - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 10 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 5V,

Wishlist.

NXP USA Inc.

PDTA144EK,115

Sehemu ya hisa.: 1993

Aina ya Transistor: PNP - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 47 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 47 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V,

Wishlist.

NXP USA Inc.

PDTC123JE,115

Sehemu ya hisa.: 1946

Aina ya Transistor: NPN - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 47 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V,

Wishlist.

NXP USA Inc.

PDTB123YK,115

Sehemu ya hisa.: 1943

Aina ya Transistor: PNP - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 500mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 10 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V,

Wishlist.

NXP USA Inc.

PDTB123EK,115

Sehemu ya hisa.: 1946

Aina ya Transistor: PNP - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 500mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 2.2 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V,

Wishlist.

NXP USA Inc.

PDTC114TK,115

Sehemu ya hisa.: 2044

Aina ya Transistor: NPN - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 10 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V,

Wishlist.

NXP USA Inc.

PDTA143XS,126

Sehemu ya hisa.: 1934

Aina ya Transistor: PNP - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 4.7 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 10 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Wishlist.

NXP USA Inc.

PDTA323TK,115

Sehemu ya hisa.: 1932

Aina ya Transistor: PNP - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 500mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 15V, Kizuizi - Msingi (R1): 2.2 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V,

Wishlist.

NXP USA Inc.

PBRN123YK,115

Sehemu ya hisa.: 1929

Aina ya Transistor: NPN - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 600mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 40V, Kizuizi - Msingi (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 10 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 300mA, 5V,

Wishlist.

NXP USA Inc.

PDTA123JE,115

Sehemu ya hisa.: 3222

Aina ya Transistor: PNP - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 47 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V,

Wishlist.

NXP USA Inc.

PDTA143TK,115

Sehemu ya hisa.: 1989

Aina ya Transistor: PNP - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 4.7 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V,

Wishlist.

NXP USA Inc.

PDTC114YK,115

Sehemu ya hisa.: 1920

Aina ya Transistor: NPN - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 10 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 47 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V,

Wishlist.

NXP USA Inc.

PDTD123YS,126

Sehemu ya hisa.: 2006

Aina ya Transistor: NPN - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 500mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 10 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V,

Wishlist.

NXP USA Inc.

PDTD123TK,115

Sehemu ya hisa.: 1928

Aina ya Transistor: NPN - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 500mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 2.2 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V,

Wishlist.

NXP USA Inc.

PDTD123YK,115

Sehemu ya hisa.: 1992

Aina ya Transistor: NPN - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 500mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 10 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V,

Wishlist.

NXP USA Inc.

PDTC123YS,126

Sehemu ya hisa.: 1995

Aina ya Transistor: NPN - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 10 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 5V,

Wishlist.

NXP USA Inc.

PDTA144WS,126

Sehemu ya hisa.: 1954

Aina ya Transistor: PNP - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 47 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 22 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V,

Wishlist.

NXP USA Inc.

PDTC124XE,115

Sehemu ya hisa.: 2012

Aina ya Transistor: NPN - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 22 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 47 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V,

Wishlist.