Menu
KiswahiliKiswahili
RFQS / Order.
0RFQS / Order.

Transistors - Bipolar (BJT) - Moja, Kabla ya Upend

  • Nyumbani
  •  
  • Transistors - Bipolar (BJT) - Moja, Kabla ya Upend
RN1104,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1104,LF(CT

Sehemu ya hisa.: 176974

Aina ya Transistor: NPN - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 47 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 47 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Wishlist.
RN1116MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1116MFV,L3F

Sehemu ya hisa.: 1741

Aina ya Transistor: NPN - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 4.7 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 10 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Wishlist.
RN2110ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2110ACT(TPL3)

Sehemu ya hisa.: 116110

Aina ya Transistor: PNP - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 80mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 4.7 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Wishlist.
RN1309,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1309,LF

Sehemu ya hisa.: 1726

Aina ya Transistor: NPN - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 47 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 22 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Wishlist.
RN2112ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2112ACT(TPL3)

Sehemu ya hisa.: 133617

Aina ya Transistor: PNP - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 80mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 22 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Wishlist.
RN1119MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1119MFV,L3F

Sehemu ya hisa.: 1717

Aina ya Transistor: NPN - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 1 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Wishlist.
RN2421(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2421(TE85L,F)

Sehemu ya hisa.: 103457

Aina ya Transistor: PNP - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 800mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 1 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 1 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 1V,

Wishlist.
RN1301,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1301,LF

Sehemu ya hisa.: 114770

Aina ya Transistor: NPN - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 4.7 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 4.7 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Wishlist.
RN2113ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2113ACT(TPL3)

Sehemu ya hisa.: 192815

Aina ya Transistor: PNP - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 80mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 47 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Wishlist.
RN1113MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1113MFV,L3F

Sehemu ya hisa.: 1776

Aina ya Transistor: NPN - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 47 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Wishlist.
RN2105ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2105ACT(TPL3)

Sehemu ya hisa.: 181928

Aina ya Transistor: PNP - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 80mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 47 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Wishlist.
RN2111ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2111ACT(TPL3)

Sehemu ya hisa.: 185360

Aina ya Transistor: PNP - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 80mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 10 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Wishlist.
RN1132MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1132MFV,L3F

Sehemu ya hisa.: 1709

Aina ya Transistor: NPN - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 200 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Wishlist.
RN1115MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1115MFV,L3F

Sehemu ya hisa.: 116839

Aina ya Transistor: NPN - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 10 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Wishlist.
RN2103ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2103ACT(TPL3)

Sehemu ya hisa.: 125855

Aina ya Transistor: PNP - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 80mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 22 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 22 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Wishlist.
RN1118MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1118MFV,L3F

Sehemu ya hisa.: 3186

Aina ya Transistor: NPN - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 47 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 10 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Wishlist.
RN1406,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1406,LF

Sehemu ya hisa.: 138320

Aina ya Transistor: NPN - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 4.7 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 47 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Wishlist.
RN2109MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2109MFV,L3F

Sehemu ya hisa.: 1723

Aina ya Transistor: PNP - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 47 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 22 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Wishlist.
RN1402,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1402,LF

Sehemu ya hisa.: 154084

Aina ya Transistor: NPN - Pre-Biased, Mkusanyaji wa sasa (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Mtozaji wa Mtoaji wa Mtoaji (Max): 50V, Kizuizi - Msingi (R1): 10 kOhms, Resistor - Msingi wa Emitter (R2): 10 kOhms, Faida ya DC ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Wishlist.